大陆首条阻变存储器中试线在杭州临安通线！

    近日，由昕原半导体（杭州）有限公司主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片。

    “作为大陆首条28/22nm ReRAM12寸中试生产线，我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产，将极大带动我国新型存储行业发展。”昕原半导体相关负责人表示，“而在这一领域，目前国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。”