东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
注：
[1] 相对于具有相同评级的产品，截至2021年2月东芝的调查。
[2] 与TK100E08N1（U-MOSVIII-H系列）相比，TK2R4E08QM的“典型漏源导通电阻×典型栅极开关电荷”降低了8%左右。