参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 25A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 110mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
Qg-栅极电荷 | 70nC | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 208W | |
高度 | 15.65mm | |
长度 | 10mm | |
系列 | CoolMOSCP | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 4.4mm | |
下降时间 | 5ns | |
典型关闭延迟时间 | 50ns | |
典型接通延迟时间 | 15ns | |
工作温度 | -55°C~150°C |